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SNW
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特性：自愈性,低ESR,產(chǎn)品壽命長(cháng),高脈衝,高可靠性.符合AEC-Q200要求.
應用：用於能量轉換和電力控制,半導體電路,諧振電路,SMPS保護電路,感應加熱,高電壓,高電流和高脈衝應用.
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0.0047~6.8 μF
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700~3000VDC
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SNL
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特性：高電容密度,高脈衝高電流,優(yōu)良的自愈性
應用：IGBT突波吸收,嵌位
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0.047～10μF
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700～3000VDC
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SNG
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特性：高電容密度,高電壓,高電流,優(yōu)良的自愈性
應用：GTO保護,隔直,大電流應用
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1.5～11.0μF
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2400VDC
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SNP
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特性：高電容密度,高電壓,高電流,優(yōu)良的自愈性
應用：GTO保護,隔直,大電流應用
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0.22～7.5μF
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3600～8000VDC
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SNR
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特性：高電容密度,高電壓,優(yōu)良的自愈性
應用：GTO可控硅保護,隔直,高壓應用
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0.068～3.0μF
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4000～20000VDC
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